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Moduli PIN Si 850nm

Modellu: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Breve descrizione:

Hè un modulu di fotodiode Si PIN 850nm cù un circuitu di pre-amplificazione chì permette à u signale di corrente debule per esse amplificatu è cunvertisce in signale di tensione per ottene u prucessu di cunversione di l'amplificazione di signali fotoni-fotoelettrici.

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Parametru tecnicu

Tags di u produttu

Features

Risposta à alta velocità
Alta sensibilità

Applicazioni

Fusibile laser

Parametru fotoelettricu（@Ta=22±3℃）

Articulu #	categuria di pacchettu	Diametru di a superficia fotosensibile (mm)	Rispunsibilità	Tempu chì cresce (ns)	Gamma dinamica (dB)	Tensione di funziunamentu (V)	Tensione di rumore (mV)	Notes
Articulu #	categuria di pacchettu	Diametru di a superficia fotosensibile (mm)	λ=850nm, φ_e= 1 μW		λ = 850 nm	Tensione di funziunamentu (V)	Tensione di rumore (mV)	Notes
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	± 5 ± 0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	± 6 ± 0,3	40	(Angulu d'incidenza: 0 °, trasmittanza di 830nm ~ 910nm ≥90%
GD4251Y-A		10 × 1,5	130	18	20	± 6 ± 0,3	40
GD42121Y		10 × 0,95	110	20	20	± 5 ± 0,1	25
Note: A carica di prova di GD4213Y hè 50Ω, u restu di l'altri sò 1MΩ